| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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BSZ058N03LSG |
8-PowerTDFN | Infineon Technologies | 50168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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BSZ058N03LSG参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 包装数量：5000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：40A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2400pF @ 15V 功率 - 最大值：45W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： RF 天线ANBT-10HRA 嵌入式 - DSPADSP-BF524BBCZ-3A RF 收发器MAX2839ETN 旋转D4G0405N 接线座 - 接头，1002440000 时钟/计时 - 可CD4541BMT 矩形- 接头，公引0022280041 振荡器ASA2-85.125MHZ-L-T3 芯片电阻 - 表面RG2012P-1022-W-T5 矩形A3DDH-1006M |
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